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存储器IC的简单命名

关键词:存储器IC    发布时间:2012年3月16日   点击次数:175次

存储颗粒主要有这样的一些品牌:美国的Micron(美光)、德国的Infineon(英飞凌);韩国的SAMSUNG(三星)、HY(现代);日本的NEC(日本电气)、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝);台湾的EilteMT、ESMT(晶豪)、EtronTech(钰创)、Winbond(华邦)、Mosel(茂矽)、Vanguard(世界先进)、Nanya(南亚)。

有的品牌现在已经没有被采用了,只有在SDRAM时代采用过,有的品牌在DDR时代采用的也不多了。显存种类主要分SD和DDR两种,有时候,他们可以从编号上区分,DDR的可能会注明“D”,SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分,以TSOP封装来说,SDRAM的管脚数量是27x2=54,DDR的管脚数量为33X2=66。

美光(Micron)

 micron

图1 美光芯片颗粒

  美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商,目前显卡厂商采用它显示芯片较少,它主要供应内存OEM商,下面用上图的实例对Micron(美光)颗粒编号的简单含义作介绍:

  MT——Micron的厂商名称。
  48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。
  LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。
  8M8——内存颗粒容量为8M。
  A2——内存内核版本号。
  TG——封装方式,TG即TSOP封装。
  -75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。

  颗粒编号MT
48LC8M8A2 TG-75,从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒,采用TSOP封装方式,速度为7.5ns,单颗粒为8M,位宽8bit。

亿恒(In fineon)

 

infineon(亿恒)图2 Infineon(亿恒)颗粒

  Infineon是德国西门子的一个分公司,它主要生产内存颗粒。目前,Infineon在全球排名已经跃居为第四位,超过了韩国的Hynix。它的编号简单,编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。它的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。

  用实例如上图对它颗粒编号的简单介绍:

  HYB-内存编号开头
  25-25是时间(周)
  D-D代表DDR颗粒,S代表SDR颗粒
  128-128代表单颗容量为128/8=16M
  32-32表示位宽32bit
  3.3-3.3代表颗粒速度

  这颗编号为HYB25D128323C-3.3,编号中正数第10、11位,也就是“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。32也就是单颗32位。顺便说一下,这是DDR SGRAM显存颗粒。

韩国三星(Samsung)

  目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。

  下面简单对三星的颗粒编号作一个介绍:

  编码规则:K 4 X X X X X X XX - X X X X

  主要含义:
  第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
  第2位——芯片类型4,代表DRAM。
  第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。
  第4、5位——容量,容量相同的颗粒采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表8Mbit的容量;28、27、2A代表16Mbit的容量;56、55、57、5A代表32Mbit的容量;51代表64Mbit的容量。
  第6、7位——表示颗粒位宽,16代表16位;32代表32位;64代表64位。
  第11位--空格,没有实际意义。
  第12、13位――为速度标志。
  第14、15位——芯片的速率数据。

samsung          samsung

图3 三星颗粒(左边为采用TSOP封装DDR颗粒,右边为采用TSOP封装的SD颗粒)

 

 

samsung图4 采用mBGA封装方式的DDR显存颗粒

 

韩国现代(Hynix)

 

hynix hysdu

图5 现代的颗粒(左图为DDR颗粒,右图为SD颗粒)

 

 

hynix图6 采用mBGA封装方式的颗粒

  韩国现代公司的显存,应该为大多数朋友熟悉了。目前全球排名第四位,它的产品线也是很丰富的,在内存中,现代HY是物美价廉的代表。第一个编号为HY5DV641622AT-36的颗粒,它是DDR显存颗粒,第4位的字母“D”即代表为DDR,单颗64/8=8MB,速度为3.6ns;第二颗编号为HY57V641620HG T-6,它是SDR颗粒,它的第6、7两位标称了显存单颗粒为64/8=8MB,8,9两位代表了显存位宽为16bit,T-6表示速度为6ns,一般以-2A的标识方式进行标注。

 

台湾晶豪电子

 

 

EliteMT

图7 EilteMT颗粒

 台湾晶豪电子是台湾5大内存芯片厂商之一,它近年来发展迅速,主要中国大陆显卡商采用它的颗粒较多。这颗显存编号为-5.5Q,9948S M32L32321SB,-5.5Q代表显存的速度为5.5ns,对应的运行速度=1/5.5=183MHz;9948S表示封装日期为99年第48周;第二行中的3232表示容量为32/8=4MB,数据带宽为32bit。

 

ESMT

图8 ESMT颗粒

  这颗显存编号为M13L128168A-4T,5、6、7位的128表示单颗是128/8=16MB,8、9位表示位宽16bit,最后的-4T表示速度为4ns。

台湾钰创科技

 

 

钰创图9 钰创颗粒

  台湾钰创科技为最近兴起的存储芯片领域里的一颗新星,它的内存颗粒被各大显卡产商大量采用,品质性能都非常不错。这颗显存编号为EM658160TS-4.5,其中EM代表EtronTech(钰创)显存,65代表容量为64/8=8MB,16代表数据带宽为16bit。T代表工作电压为2.5V,S代表种类为DDR SDRAM。4.5代表显存速度为4.5ns,额定工作频率为230MHz。

南亚科技(NANYA)

 

 

nanya  南亚科技是全球第六大内存芯片厂商,也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司,它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K,其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存,6、7位8M表示单颗粒容量8M,8、9位16表示单颗粒位宽16bit,-7K表示速度为7ns。


台湾华邦(winbond)

 

 

winbond图11 winbond颗粒

  台湾华邦为台湾5大内存芯片厂商之一,近年来,大陆客户采用它的内存颗粒较多,因此为我们较熟悉的一种品牌。这颗粒编号为W946432AD-5H,第1位W为台湾华邦显存颗粒开头标志,编号中的4、5为64表示单颗显存为64/8=8Mb,第6、7为32表示单颗粒位宽为32位,第9位D表示位DDR颗粒,后面的第11、12位表示颗粒速度位5ns。

台湾茂矽(MOSEL)

 

 

mosel图12 MOSEL显存颗粒

  台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商,对大陆供货不多,因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45,从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8=8MB,从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit,从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns。




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